邢启江

基本信息

姓名：邢启江 职务：教授 电话：010-62754699

E-mail: qjxing@pku.edu.cn

个人简历

1965年9月至1970年3月就读于北京大学物理系，毕业留校后一直从事基础课教学和科学研究工作。1990年12月至1991年2月赴意大利在ICTP举办的“Training College on Physics and Characterization of Laser and Optical Fibers”进修学习；1992年5月至1994年8月作为访问学者在加拿大蒙特利尔大学进修工作；1996年12月至1998年12月应邀在美国加利福尼亚大学圣地亚哥分校从事研究工作。

教学与教材建设

相继从事《力学》、《电磁学》、《激光原理》、《电学实验》、《光学实验》和《近代物理实验》等基础课的教学；参加教材“近代物理实验”第三版编写；教学设备建设方面，研制成功“BWH-1型变温霍尔效应测试仪”在全国高校物理实验教学仪器评比中获二等奖；承担本科生毕业论文和指导研究生等教学工作。

科研与代表作

主要研究方向：化合物半导体材料的光电特性及光电子器件。

1970年至1982年期间，主要从事二氧化碳气体激光器和燃烧型气体动力学激光器的研究。先后研制成功脉冲激射、连续激射和可调谐二氧化碳气体激光器。作为主要参加者在国内最早研制成功燃烧型大能量气体动力学激光器。开展窄禁带半导体材料磁光效应、光电导和光吸收研究。作为主要合作者“窄禁带半导体非线性光学”研究成果获北京大学科学技术研究成果三等奖。

1983年以来，一直从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料外延生长、半导体材料光电特性及光电子器件的研究。作为项目主要参加者完成“七五”和“八五”国家重大课题研究任务。研制成功1.55μm波长InGaAsP/InP掩埋双异质结分布反馈（BH-DFB）激光器。在国内首次用LPE生长技术成功地生长InGaAsP/InP双异质结分别限制量子阱结构并且达到国际上报导的生长水平，并且用LPE生长技术研制成功1.48μm波长InGaAsP/InP分别限制量子阱激光器。1992年至1996年，通过故意的晶格失配把应变引入双异质结量子阱结构激活区，最早研制成功低阈值、高效率和室温激射的高应变InAs/InP中红外量子阱激光器。

1997年开始从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料光弹效应、光弹光调制器和光弹激光器的研究。在系统研究薄膜应变条和条形窗形成光弹波导制作光弹光电子器件基础上，首次提出应变薄膜组合结构产生光弹光波导，研究结果表明该结构形成的光弹光波导远优于单独薄膜应变条或条形窗形成的光波导。同时研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料直接键合。

代表性论文

  1. Sun Yong-Jian, Gao Wen-Sheng，Hu Tao and Xing Qi-Jiang, “Photoelastic Waveguides Induced by Thin Film Composite Structure in InGaAsP/InP Double Heterostructures”, Semicond. Sci. Technol. VoL 21, No. 4 (2006) 575-578
  2. Gao Wen-Sheng, Xing Qi-Jiang, Yuan Zhi-Jun, Hu Tao, “W0.95Ni0.05 Compressive Strain Thin Film Stripe Window Induced Photoelastic Waveguide Structure in InGaAsP/InP Double Heterostructure” . Chinese Physics Letters, Vol. 20, No. 8, (2003) p1296~1299。
  3. Xing Qi-Jiang, “Photoelastic Effect and Optimal Waveguide Structure in InGaAsP/InP Double Heterostructures”, Chinese Physics Letter. Vol. 19, No. 5, (2002) p. 685
  4. Q. J. Xing, W. J. Wu, and Z. B. Wu,“Photoelastic Effect and Lateral Optical Confinement in InGaAsP/InP Double Heterostructures”, Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 22, No. 7,（2001）p.846~852
  5. Q. J. Xing and W. J. Xu, “Thermal Stability of Photoelastic Waveguide Structures Induced by W0.95Ni0.05 Metal Thin Film” , Semiconductor Optoelectronics, Vol. 22，No. 1，（2001）p.21~25
  6. L. S. Yu, Q. J. Xing, D. Qiao, S. S. Lau, K. S. Boutros, and J. Redwang, “Internal Photoemission Measurement of Schottky Barrier Height for Ni on AlGaN/GaN Heterostructure”, Appl. Phys. Lett., Vol.73, No.26, (1998), 3917
  7. Q. J. Xing, J. L. Brebner, X. M. Lao, M. Beaudoin, A. Chennouf, G. Ahmad, G. Zhao, and C. W. Chen, “Effect of Rapid Thermal Annealing on The Optical and Structural Properties of Highly Strained InAs/InP Quantum Well Structures”, Solid State Communications. Vol.98, No.11, pp1009-1013 (1996)
  8. Q. J. Xing, B. Zhang, S. M. Wang, “Enhancement of Crystalline Quality of Strained InAs/InP Quantum Well Structures by Rapid Thermal Annealing” Semiconductor Optoelectronics, Vol.17, No.4, (1996) 357~361。
  9. Q. J. Xing, J. L. Brebner, R. A. Mascut, G. Ahmad, G. Zhao, C. A. Tran, and L. Isnard, “Strained InAs/InP quantum well heterostructure lasers grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition”, Appl. Phys Lett. Vol.65, No.5, (1994) 567
  10. Q. J. Xing, S. M. Wang, R. P. Wang, W. X. Chen, B. Zhang, C. S. Zhao, X. Z. Dang and L. S. Yu, “Study of 1.35μm InGaAsP/InP Quantum Well Structure Grown by LPE”， Chinese Journal of Semiconductors，Vol.14， No.9， (1993) p. 540~544。
  11. Qijiang Xing， “1.55 m wavelength InGaAsP/InP Buried Heterostructure Distributed Feedback (BH-DFB) Lasers”, Light Sources Conference in Training College on Physics & Characterization of Laser & Optical Fibres, ICTP, Italy, December 15, 1991
  12. Q. J. Xing, S. M. Wang, W. X. Chen, B. Zhang., R. P. Wang, “Study on Growth of 1.55m InGaAsP/InP Double Heterostructures by low temperature liquid phase epitaxy on n-InP (100) substrates.”. Semiconductor Optoelectronics, Vol. 11, No. 4, (1991) p.324~328
  13. Xing Qijiang, Chen Chenjia, Wang Xuezhong, Shi Shouxu, Zhu Yinkang, Wang Weili, Cao Shushi, Liu Jizhou and Liu Caixia, “Study of The Free Carrier Faraday Rotation in InSb through a Tunable CW CO2 Laser” Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 4, No. 6, (1983) p549-554
  14. Xing Qijiang, Wang Weili, “The Measurement of Faraday Rotation by Double Beam Balance Method”, J. Laser Application, Vol. 7, No. 4, (1987) p145-148
  15. W. L. Wang, Q. J. Xing, S. X. Shi, “Nonlinear optical absorption spectrum involving acceptor states in HgCdTe”, Chinese Journal of Semiconductors, Vol. 9, No. 4, (1988) p388~394
  16. W. L. Wang, Q. J. Xing, “Hot Electron Effect in Free Carrier Photoconductivity in HgCdTe”, Chin. J. Infrared. Res., Vol. 6, No. 5, (1987) p. 341~346