冉广照

教授、博士生导师
通讯地址：北京大学物理学院，邮编：100871
电子信箱：rangz@pku.edu.cn
传真：010-62751615

主讲课程：

• 半导体激光物理学
• 近代物理实验

主研究方向

• 分子半导体：材料，器件及物理
• 纳米半导体：材料，器件及物理
• 硅光子学：硅基发光与激光

主要获奖：

• 2005年 北京市科学技术一等奖（排名三）
• 2007年 国家自然科学二等奖 （排名二）项目：氧化硅纳米硅体系的发光及物理机制

代表论文：

1. Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008
2. Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004
3. Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001