低维材料电子结构的应变梯度调制研究-北京大学物理学院

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低维材料电子结构的应变梯度调制研究

发布日期：2012-12-04浏览次数：


图1左：ZnO微米线中的应变梯度效应：具有六角多面体晶形、直径2.5m、长数百微米的 ZnO微米线，及选择的8个CL光谱线扫描位置；	图1右：中性面、位置V上A激子能量与应变梯度的线性关系（韩晓冰等, Advanced Materials Vol.24, pp4707，2012）。


图2：ZnO微米线中的应变梯度效应的扇面示意图，其中发光峰能量位移大小ΔE正比于应变梯度β。	图3：液氦温度下弯曲ZnO微米线中的精细CL光谱结构（廖志敏、付强等,Scientific Reports 2，452，2012）。