预测一类新型拓扑绝缘体-北京大学物理学院

暂存栏目

科研成果

当前位置：首页 >> 暂存栏目 >> 旧站资料 >> 科研成果 >> 正文

预测一类新型拓扑绝缘体

发布日期：2015-01-09浏览次数：


量子自旋霍尔绝缘体BiX/SbX单层的结构(a)，能带（灰色和红色分别对应不考虑和考虑自旋轨道耦合的结果）（b）, 电场下倒空间的圆极化程度（反映K,K谷分别吸收左旋和右旋的园偏振光的程度）(c)，拓扑绝缘体按体能隙的代划分（d）。