发布日期:2025-06-23 浏览次数:
供稿:科研交流办、雷天琦 |
图片:孙嘉琪 |
编校:时畅 |
编辑:孙嘉琪 |
审核:胡耀文、王剑威、徐莉梅
2025年6月20日,由北京大学物理学院举办的北京大学格致论坛第三十二讲在物理学院西楼思源多功能厅成功举办。论坛由北京大学物理学院王剑威教授主持,物理学院助理教授胡耀文应邀以“基于薄膜铌酸锂的光电融合芯片”为题作学术报告。

王剑威主持

胡耀文作报告
光电融合芯片正成为应对下一代计算与通信挑战的关键技术路径。随着人工智能在算力和数据规模上的持续扩张,AI芯片在数据交互环节中通信能耗远超计算能耗,严重限制整体性能提升,成为AI芯片发展的核心瓶颈。相比传统电子架构,光电融合的光子互联技术具备超高带宽、超低能耗与超低时延等显著优势,因而构建具备高性能、高集成度的光电融合芯片平台,正成为推动AI持续演进的重要驱动力。而在众多的光子材料中,薄膜铌酸锂(Thin-Film Lithium Niobate, TFLN)凭借其高折射率、超宽透明窗口和强非线性效应,被誉为“光子学中的硅”,并在近年来成为全球研究的热点平台。
胡耀文从光电融合的基本需求出发,系统阐释了薄膜铌酸锂之所以被称为“光学硅”的物理本质,以及其在材料制备与刻蚀工艺中面临的两大技术挑战。他回顾了近年来薄膜铌酸锂在突破传统光电平台性能瓶颈方面的关键进展,并重点介绍了课题组围绕该平台在“电光频率转换”“电光频率梳”“数模转换链路”与“光电融合计算”四个核心方向的代表性研究成果,展示了薄膜铌酸锂在系统级集成与应用层面上的巨大潜力。最后,他结合团队近年来发表于《自然》(Nature)等期刊的重要成果,展望了TFLN平台在AI计算、光子信息处理、通信系统和雷达感知等关键场景中的落地前景,并指出基于薄膜铌酸锂的光电融合芯片将在未来信息架构中承担起突破算力能耗壁垒、重塑计算与信息交互范式的核心角色。
报告结束后,线上线下的师生围绕光电融合芯片的制备与设计细节、与硅基芯片的性能对比,以及未来在人工智能与通信等领域的推广应用等问题展开了热烈而深入的讨论。

互动交流
本次论坛线上线下同步进行,通过北京大学直播平台和蔻享学术平台在线观看直播的观众逾2.3万人次。

讲座现场
回放链接:https://www.koushare.com/live/details/43984
报告人简介:
胡耀文,北京大学物理学院助理教授、博士生导师。2018年本科毕业于清华大学物理系,2023年获哈佛大学物理学博士学位,并于2023—2024年在哈佛大学应用科学与工程学院从事博士后研究工作;2024年3月起任职于北京大学物理学院。研究方向涵盖微纳光学与光电融合芯片的理论和实验研究,专注于与机器学习、量子光学等交叉学科领域的微纳光子芯片。研究兴趣包括光子计算与类脑芯片、微波光子学、量子光学、非线性光学、拓扑与非厄米光子学、光学雷达与光电互连等。在Nature, Nature Reviews Physics, Nature Photonics, Nature Electronics, Nature Communications等期刊上发表论文20余篇,相关研究获国际光学年度进展等荣誉,总引用次数>3000次。获麻省理工科技评论中国区“35岁以下科技创新35人”、北京大学未名青年学者、北京大学博雅青年学者等个人荣誉。
北京大学格致论坛简介:
北京大学格致论坛是北京大学物理学院发起的面向青年教学科研人员学术交流活动。“格致”体现两重涵义:一是,北京大学物理学科源自京师大学堂格致科;二是,“致知在格物”出自《礼记·大学》。自2010年4月启动以来,论坛围绕学科领域前沿,面向国家重大需求,针对基础科学问题,开展了十余场学术研讨,分享最新研究成果,促进学科交叉融合,培育新兴方向增长点,展现了北大物理人学术无畏、攀登无限的新风貌。2021年5月,于物理学院成立二十周年之际重启,并增设在线参与通道。