摘要 (Abstract) ：

人工智能时代对海量数据处理提出了巨大需求。基于新型架构的光电集成技术具有带宽大、速率高、功耗低等优势，有望大幅提升信息传输和处理的速度与容量，是后摩尔时代信息技术的重点发展方向和研究前沿。然而，目前传统光电材料与芯片依然面临片上光源缺失、功耗高、性能瓶颈、兼容性差等挑战。二维材料的兴起，尤其是窄带隙二维材料，因其原子层厚度、范德华集成、高载流子迁移率、可调带隙等优异的物理特性，为高性能光电器件与集成芯片的革新提供了契机。基于此，我们从新型窄带隙二维材料的制备、能带工程和电输运性质调节等方面着手，探究了以黑磷为代表的窄带隙二维材料可控生长及其在室温高性能太赫兹探测器、片上集成新型发光器件等中的应用。